初级侧控制省去了光耦和431。
利用谷开关控制原边MOS管，实现低开关损耗
0.1V原边电流采样参考电压，连接阻值较小的取样电阻，更小的传导 损耗。
内置大电流MOSFET驱动器电路
低启动电流：15μA典型值
可靠的LED短路和LED开路保护
功率因数>0.90与单级转换。
小型封装：SOT-23-6