• 内置高压900V MOS管

• 恒压和恒流精度可达5%

• 原边控制模式，无需TL431和光耦

• 非连续模式下的反激拓扑

• 准谐振开关模式，减小开关损耗

• 具有软启动功能

• 内置前沿消隐电路(LEB)

• 频率抖动

• 恒压恒流控制

• 恒流和输出功率可调

• 内置初级电压采样控制器

• 可调式线损补偿

• 基于系统稳定性的保护功能

• 欠压锁定

• 逐周期电流限制

• 峰值电流限制

• 过温保护

• 过压保护和电源箝位

• DIP-7无铅封装

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