M6362A是一款能耗小于75mW的待机功耗，拥有六级高能效。

较高转化率的100W以内的内置电流模式PWM控制器

产品型号：M6362A

产品封装： M6362A是SOT23-6封装，外置 MOSFET

M6362A的特点：

■开机软启动减少MOSFET Vds 的压力应力

■多段复合的工作模式：

65KHz 固定频率模式@满载

谷底导通工作模式@中低负载

扩展的突发工作模式@轻负荷&空载

■优化EMI 性能的抖频技术

■扩展的突发工作模式提高转换效率和极低的

待机功耗

■音频噪声处理功能

■全面的保护功能：

VCC 锁定与迟滞(UVLO)

VCC 过电压保护(VCC OVP)

在通用输入电压范围内固定输出功率限制的电

流阈值设置

过载保护(OLP)及自动恢复功能

外部(如果NTC 电阻连接在PRT pin)或内部温

度保护(OTP)与自动恢复功能

输出电压保护(输出OVP)与自动恢复，

OVP 触发电压可由辅助绕组与PRT 销连接的

 软启动减少开机时MOSFET的漏源电 压应力
VDD过压保护和输出过压保护功能
 内部过热保护和外部可编程过热保护
 内建同步斜波补偿，消除次谐波震荡
内建频率抖动功能，降低EMI
65kHz开关频率 线电压补偿 峰值负载输出控制

应用方向：

离线式AC/DC反激变换器
电视及监视器电源
笔记本电脑适配器，

手机充电器、上网本充电器。各类穿戴设备充电器

机顶盒点烟管理器

开放式开关电源，

该产品在降低能耗。提高效流方面能完全替代：OB2362A、OB5282、OB5269、CR6888、CR6884、RT7737等六角级对应PIN。

在五脚位对应PIN中，能高效提高电流模式功效。对应降低能耗方面。完全可优化升级：GR8837、OB2263.OB2273，RT7737、SM8013等大多数5脚位，升级六级能效的要求。

在大多数5V2A,5V3A,5V4A,9V2A,9V3A,12V1.5A,12V2A，12V3A，12V4A，18V1.5A，18V2A，24V1.5A，24V2A，8-12*1W//28V36W,8-12V3W,12-18*3W等小于48Wd的同类品牌，

M6362A 是一款高度集成的电流模式PWM 控制芯片，主要用于高性能、低待机功耗和低成本的

离线反激式电源适配器中。在满载时，IC 在固定频率(65KHz)模式下运行。当负载降低时，工作在谷底导通的绿色工作模式，实现高功率下的高转换效率。当负载很小的时候，芯片以“扩展的突发模式”运行，以减少待机功耗。因此，在整个负载范围内可以实现高转换效率。M6362A 的VCC 极低的启动电流和低运行电流为启动和工作低功耗要求的设计中提供了可靠的应用保证。M6362A 提供了包括循环电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、电压锁定(UVLO)保护、超温保护(OTP)和过电压保护(OVP)等自动恢复的全面保护覆盖。以及优异的抗EMI 电磁干扰性能。芯片系统设计中竭力避免低于25KHz 的音频

工作频率范围，并在操作过程中消除音频噪声。

产品原理图：

该电路图中R18,R19为反馈分压电阻，并且和U3(AZ431)，U2(PC817)组成反馈电路，确保输出准确电压。为了使系统具有较好的动态响应特性，可以调节R20,C8,C9的值来改善AZ431的补偿，使环路具有较高的增益；另外需要调节R16的值使U2光耦发光二极管端能够把次级信号迅速反馈到芯片FB端精心跟随控制；D1,R4,R5,R6,C3组成RCD钳位电路，用来吸收Q1 MOSFET漏源尖峰电压R1,R2,J1,R3,R11,C4,C5,C6,C15,D2,D3组成芯片的启动电路及供电环路；该电路为AC两级启动电路，可以有效的降低待机功耗，功耗可以控制在75mW以内，启动时间2S以内；注意当芯片的应用功率大于49W时，待机功耗小于210mW即可满足六级能效的要求。 VAR1为压敏电阻7D471可以吸收浪涌冲击电压，CX1为X2安规电容,CY1为共模安规Y1电容，以及共模电感LF1,LF2都起到EMC滤波效果